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색인된 특허 기록 1건

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一种晶圆级三维堆叠系统芯片及其制造方法

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种晶圆级三维堆叠系统芯片及其制造方法。该方法包括：提供第一晶圆，在所述第一晶圆上表面形成有第一芯粒阵列，所述第一芯粒阵列包含至少一个第一待去除芯粒；提供第二晶圆，在所述第二晶圆上表面形成有第二芯粒阵列，所述第二芯粒阵列与所述第一芯粒阵列一一对应。本发明还提供了由上述方法制造的系统芯片。该发明通过“先晶圆级选择性键合、再摘除瑕疵芯粒、最后芯片级修补”的三段式工艺，在保留晶圆到晶圆键合高生产效率的同时，实现了芯片到晶圆键合级别的定点修补精度，有效解决了三维堆叠系统芯片制造中良率与效率难以兼顾的技术难题。

❖上海曜感科技有限公司黄河; 向阳辉; 韩轶男Oct 16, 2026§ 3/14 청구항H10W 80/00 (2026.01), H10W 90/20 (2026.01), H10W 95/00 (2026.01) +221