基于PECVD管式炉的改善氧化硅膜沉积均匀性的方法及应用
本发明属于光伏技术领域,提供一种基于PECVD管式炉的改善氧化硅膜沉积均匀性的方法及应用。该方法包括:基片放入加热的炉管中,抽真空,将炉管压力控制在80‑140Pa;再恒温处理,使炉管热场分布均匀,将炉管温度控制在500‑560℃,炉口与炉尾的温差范围控制在30‑60℃;再向炉管通入1:7‑11流量比的SiH与NO,射频电源功率为10000‑20000W,射频电源的有效脉宽与无效脉宽比为1:40‑90,以在基片表面沉积制得氧化硅膜。该方法通过上述各工艺参数的配合与优化,能确保产能,并能改善整管的炉口、炉中及炉尾的氧化硅膜的沉积速率差,提高氧化硅膜的沉积均匀性,且该方法的工艺简单、成本低。