富含氧空位缺陷的纳米花钴基尖晶石催化剂及制备方法

本发明提供了富含氧空位缺陷的纳米花钴基尖晶石催化剂，化学通式为MCoO，其中M为Cu、Mn或者Ni，1≤x≤2；所述富含氧空位缺陷的纳米花钴基尖晶石催化剂具有由厚度为10nm~30nm的纳米片自组装而成的三维花纳米结构，且富含氧空位缺陷。制备方法为：用硝酸钴、M金属硝酸盐和结构导向剂制备前驱体溶液，120~180℃反应后将得到MCoO前驱体煅烧而成。还提供了应用，该催化剂用于含氯挥发性有机物CVOCs的催化氧化。本发明通过多元金属掺杂与还原处理相结合的策略，显著提升了催化剂对含氯挥发性有机物CVOCs的低温催化活性和抗氯中毒性能。