一种低介电损耗频率稳定性的NBT基无铅陶瓷材料及其制备方法

本发明公开了一种低介电损耗频率稳定性的NBT基无铅陶瓷材料及其制备方法，方法包括按照化学计量式（1‑)NaLiBiTaTiO‑BaNdTiO，0.01≤x≤0.05，称量NaLiBiTaTiO粉体与BaNdTiO粉体，混合均匀形成全配料；将所述全配料进行球磨，烘干、过筛，形成过筛料；将所述过筛料压制成坯体，并所述坯体进行烧结，得到低介电损耗频率稳定性的NBT基无铅陶瓷。本发明涉及功能陶瓷材料领域，解决了纯NBT陶瓷介电损耗、频率敏感性过高的问题，本发明BNTO相的加入可以抑制NBT晶粒的异常长大，促进形成细小、均匀的微观结构，细晶结构意味着晶界面积大大增加，增加的晶界可以有效地吸附和阻挡电荷载流子（如氧空位）的迁移，载流子在晶界处被俘获，难以长程迁移，从而显著降低了电导损耗和界面极化损耗。