选择性原子层沉积方法

本申请涉及一种选择性原子层沉积方法，包括以下步骤：S1、提供衬底，所述衬底的表面包括相邻设置的介电材质区域和金属材质区域；S2、将抑制剂旋涂于所述衬底的属材质区域形成抑制层，所述抑制剂包括长链烷基硫醇，所述长链烷基硫醇中烷基碳链的碳原子≥10；S3、对步骤S2所得所述衬底中的所述介电材质区域沉积介电材料薄膜。利用旋涂手段高效率完成抑制层的生长，高转速的旋涂会产生强大的离心力能使抑制剂溶液迅速地在衬底表面均匀铺展，旋涂干燥后能够获得均匀的抑制层，制备耗时从小时级别降低至分钟级别，减少了样品制备时间，从而提高介电薄膜的制备质量和效率。