一种刻蚀液及硅环微流道的制备方法

本发明属于半导体单晶硅环的表面微加工技术领域，具体涉及一种刻蚀液，按质量百分比计，包含：1％～10％碱性试剂、1％～5％促进剂、0.5％～1％表面活性剂、0.1％～0.2％稳定剂；余量为水。本发明还提供一种硅环微流道的方法，利用激光束扫描单晶硅环，使其先形成V字槽，再在上述刻蚀液内刻蚀，使V字槽转化为宽度30～40μm，深8～10μm的弧形槽，同时表面形成大小均一的5～10μm的方块状微观结构。最终得到氦气微流道侧壁笔直，表面微观均一，光滑，氦气通过时不会产生湍流，气流量均匀，还可以吸附腔体刻蚀产生的微颗粒，以确保微颗粒副产物不会释放到真空腔室空间内。