铜钴掺杂的过渡金属氧化物催化剂及其制备方法与应用

本发明公开了铜钴掺杂的过渡金属氧化物催化剂及其制备方法与应用，属于电催化材料技术领域，本发明采用有机络合法，以铜钴金属对过渡金属氧化物进行掺杂以及碱刻蚀引入了大量氧空位，使得制备的催化剂的结构光学带隙窄至2.11eV，氧空位占比达22.5%。通过焙烧和碱刻蚀形成具有丰富缺陷结构的铜钴复合氧化物，从而调控了铜钴双金属氧化物的缺陷结构与能带结构，显著提升了木糖的电催化氧化性能。将本发明的催化剂应用于木糖电催化氧化反应，当电流密度为100mA·cm时，所需电位仅为1.3656V，在电流密度为500mA·cm时电位为1.80V，塔菲尔斜率为33.1mV·dec，木糖酸产率高达95%。