用于半导体设备的低温硬质阳极氧化处理方法及装置

本发明公开了用于半导体设备的低温硬质阳极氧化处理方法及装置，涉及设备表面处理技术领域。方法包括：在阳极氧化处理前，执行铝合金表面图像采集，提取形貌特征集；配置表面预处理方案，执行铝合金表面的粗糙化处理；在配置电解液后，通过多阶段脉冲电源在电解液中执行铝合金表面的膜层生长协同调节，包括：输出第一协同参数和第二协同参数；根据第一协同参数、第二协同参数完成膜层生长调节后，执行高温强化封孔处理。解决了现有技术中半导体设备铝合金部件阳极氧化膜层在低温环境下易出现孔隙不均、膜层致密性不足的技术问题，达到了通过多阶段脉冲电源与实时传感协同寻优控制实现膜层均匀生长、提高膜层致密度与耐蚀性的技术效果。