一种降低SiC单晶生长过程中金属杂质污染的方法及装置

本发明公开了一种降低SiC单晶生长过程中金属杂质污染的方法及装置，属于半导体材料制备技术领域。本发明提供的方法包括如下步骤：将SiC粉料装入坩埚，固定籽晶并放置生长所需组件，密封SiC生长腔室后进行抽真空处理；升温至设定温度，并通入惰性气体至设定压力，保温；然后通入氯化氢和惰性气体的混合气体，将金属杂质转化为金属氯化物并排出；置换为惰性气体，然后采用PVT法进行单晶生长。本发明能够在不损伤SiC籽晶与生长原料的同时有效去除生长坩埚内的金属杂质，所得SiC单晶纯度高；且无需对设备进行大规模改造，还可以在一定程度上减轻SiC单晶生长对原材料纯度的要求，大幅度降低SiC单晶制造成本。