一种外延生长设备

本申请涉及半导体晶体生长设备领域，本申请提供一种外延生长设备，包括反应室、工件台和气体注入装置，工件台位于反应室底部的工件台，用于承载基片；气体注入装置位于反应室顶部，其包括壳体以及设于壳体内且与反应室连通的吹扫气体通道和多个独立设置的反应气体通道，反应气体通道的出气口与工件台的位置对应，吹扫气体通道设于反应气体通道的外侧，通过设有吹扫气体通道并将其设置在反应气体通道的外侧，当吹扫气体被高速注入反应室时，会在反应气体与反应室内壁之间形成一道隔离气帘，从而减少反应室内工艺气体分解后附着在侧壁形成颗粒，进而减少颗粒污染缺陷，提高外延膜质量和良率。