一种消除Ⅲ族氮化物晶体的反转畴的方法、Ⅲ族氮化物晶体及半导体器件

本发明公开一种消除Ⅲ族氮化物晶体中反转畴的方法、Ⅲ族氮化物晶体及半导体器件，该方法包括：提供待修复Ⅲ族氮化物晶体；待修复Ⅲ族氮化物晶体包括至少一个反转畴以及设置于反转畴周围的晶体基体，待修复Ⅲ族氮化物晶体具有相对设置的第一表面与第二表面，反转畴的第一表面的极性与晶体基体的第一表面的极性相反，反转畴的第二表面的极性与晶体基体的第二表面的极性相反，反转畴的第一表面相对于晶体基体的第一表面形成凹陷；在反转畴的第一表面形成阻挡层，得到第一晶体结构；阻挡层的厚度不超过凹陷的深度；在第一晶体结构的表面形成Ⅲ族氮化物修复层，得到Ⅲ族氮化物晶体；Ⅲ族氮化物修复层覆盖在晶体基体表面和阻挡层表面。