一种融合低频噪声与电容特性的界面缺陷程度表征方法

一种融合低频噪声与电容特性的界面缺陷程度表征方法，涉及半导体器件检测技术领域，解决现有界面缺陷表征方法灵敏度不足、易受外部干扰等问题。该方法通过提取待测器件的界面缺陷相关的噪声特征参数，实现基于低频噪声的界面缺陷表征。同时，通过使用C‑V扫描测试得到电容特性下的界面缺陷表征。考虑实验温度与实验偏压对两种特性对界面缺陷表征结果的影响情况，引入修正因子，对表征公式进行修正。最后，针对待测器件，对低频噪声特征与电容特征赋予权重，最终获得综合表征界面缺陷程度的定量指标。本方法提高了界面缺陷检测的准确性与鲁棒性，适用于各种半导体器件的可靠性评估。