MOS晶体管栅极小信号电容测试方法、装置、设备及介质

本发明公开一种MOS晶体管栅极小信号电容测试方法、装置、设备及介质，涉及半导体技术领域，MOS晶体管栅极小信号电容测试方法，包括：基于目标MOS晶体管的含有射频GSG PAD的测试件，构建三种含有射频GSG PAD的标准件；标准件基于测试件的输入GSG PAD和输出GSG PAD构建；基于三种标准件的散射参数的测试数据，确定输入GSG PAD和输出GSG PAD的散射参数；对散射参数进行传输参数变换，得到输入GSG PAD和输出GSG PAD的传输参数；基于输入GSG PAD和输出GSG PAD的传输参数，以及测试件的传输参数，确定目标MOS晶体管的实际传输参数；将目标MOS晶体管的实际传输参数进行导纳参数变换，得到目标MOS晶体管的导纳参数；对目标MOS晶体管的导纳参数在频域求平均，确定目标MOS晶体管栅极小信号的电容。