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一种MOSFET模型参数提取方法、装置及相关设备

발명유효
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10청구항 · 4 독립항
§ Ⅰ

개요

발명자

李明; 项萱

IPC 분류

G06F 30/367 (2020.01)

本申请公开了一种MOSFET模型参数提取方法、装置及相关设备,包括:接收用户选择的MOSFET器件类型并获取器件的宏观电学行为参数,构建自动返求方程计算得到跨导系数,依据相关核心参数,建立电流函数和MOSFET等效模型,利用迭代算法对电流函数进行计算,调整等效模型的电路实时行为参数,计算误差值并对误差值进行判断,若小于预设误差值则输出等效模型的电路实时行为参数。本申请利用MOSFET器件的宏观电学行为参数和器件的类型,确定关键核心参数,并建立电流函数和MOSFET等效模型,利用迭代算法不断对电流函数进行迭代,调整并提取等效模型的电路实时行为参数,实现了MOSFET模型参数的提取。