一种半导体刻蚀设备及其控制方法

本申请提供一种半导体刻蚀设备及其控制方法，半导体刻蚀设备包括栅网和至少一个电磁线圈；栅网包括多个网孔，离子束可以通过栅网的网孔进行引出。电磁线圈围绕至少一个网孔或多个网孔环绕电磁线圈，至少一个电磁线圈用于提供目标形状和目标强度的磁场，以利用目标形状和目标强度的磁场控制通过多个网孔的离子束的空间分布，也就是说，通过在网孔周围预先设置至少一个电磁线圈，通过设置至少一个电磁线圈的位置以及电流大小确定目标形状和目标强度的磁场，目标形状和目标强度的磁场就能够对通过网孔的离子束进行空间分布的调控，从而实现对离子束的空间分布进行多种场景的调控。