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기록
静态随机存取存储器器件和包括其的电子装置
발명유효
5조회수
19청구항 · 3 독립항
§ Ⅰ
개요
발명자
金俊奭; 金文铉; 金载俊; 权俊荣; 金尚元; 柳嬉堤; 金俊渊; 沈在旴; 李昌锡; 张炯硕; 胡鲁兴
IPC 분류
H10B 10/00 (2023.01)G11C 11/412 (2006.01)
提供了一种具有单片三维堆叠结构的静态随机存取存储器(SRAM)器件以及包括该SRAM器件的电子装置。SRAM器件包括:第一层级,包括第一晶体管和第二晶体管;第二层级,堆叠在第一层级上并且包括第三晶体管和第四晶体管;以及第三层级,堆叠在第二层级上并且包括第五晶体管和第六晶体管。第一至第六晶体管中的每个包括包含二维半导体材料的沟道层。第五晶体管和第六晶体管中的至少一个的栅极被布置为与第一至第四晶体管中的至少一个的栅极相交。