闪存器件及其制作方法

本发明提供一种闪存器件及其制作方法中，在刻蚀所述栅极叠层，形成浮栅和控制栅的同时，继续刻蚀部分厚度的衬底，保证后续形成源漏区低于沟道表面，改善共位线接触孔相邻行的编程串扰，且该制作工艺上可以无需新增掩膜，且可以通过调整轻掺杂源漏区的离子注入角度，纵向连接沟道和源漏,从而降低沟道电阻。