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기록
存储器件
발명유효
8조회수
20청구항 · 3 독립항
§ Ⅰ
개요
발명자
南汉旻; 朴曾焕
IPC 분류
H10B 41/41 (2023.01)H10B 41/27 (2023.01)H10B 43/40 (2023.01)H10B 43/27 (2023.01)
一种存储器件包括:单元区域,存储单元阵列设置在该单元区域中;和外围电路区域,与单元区域至少部分地垂直重叠。外围电路区域包括第一子外围电路区域以及与第一子外围电路区域至少部分地垂直重叠的第二子外围电路区域。第一子外围电路区域的第一最下层间电介质(ILD)区域的厚度不同于第二子外围电路区域的第二最下ILD区域的厚度。