半导体器件及其形成方法

本申请公开了一种半导体器件及其形成方法，该半导体器件包括衬底、多条第一导电线、防氧化层、氧化层、多条第二导电线和存储单元。多条第一导电线位于衬底上，防氧化层位于第一导电线的侧壁，氧化层位于相邻两条第一导电线之间，且位于防氧化层的表面。多条第二导电线位于第一导电线背离衬底的一侧，多条第二导电线与多条第一导电线重叠设置，存储单元位于第二导电线背离衬底的一侧。在第一导电线的侧壁形成了防氧化层，并且防氧化层位于第一导电线的侧壁与氧化层之间，所以防氧化层可以减少氧化层对第一导电线的氧化，以降低对第一导电线的电阻和器件读写操作的影响。