一种集成双向SCR的碳化硅IGBT及其制作方法

本发明提供了一种集成双向SCR的碳化硅IGBT及其制作方法，涉及功率半导体器件技术领域。包括在N型碳化硅衬底及其N型外延层中依次形成P型体区、N+发射区和背面P+集电区，栅极位于P型体区上方，发射极与N+发射区欧姆接触；在栅极与发射极之间一体集成由P+区、N型外延层、P型体区和N+发射区叠置构成的PNPN结构，形成双向SCR防护单元，通过体电阻和掺杂参数设定其正反向触发电压和维持电流，使其与栅极驱动电压窗口相匹配，在出现正向或反向浪涌时实现双向箝位并抑制寄生闩锁，可提高碳化硅IGBT在复杂工况下栅极–发射极端的过压承受能力和工作可靠性。