半导体结构及其制造方法

本申请涉及一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构的制造方法包括：提供初始衬底。于初始衬底在竖直方向上的一侧形成漂移区。于漂移区在竖直方向上背离初始衬底的一侧形成第一缓冲层。于第一缓冲层在竖直方向上背离漂移区的一侧形成第二缓冲层。于第二缓冲层在竖直方向上背离第一缓冲层的一侧形成集电区；集电区与第二缓冲层之间键合连接。于集电区在竖直方向上背离第二缓冲层的一侧形成集电极金属层，以获得异质结结构。本申请能够有效降低半导体器件的正向导通损耗以及关断损耗。