半导体器件的制备方法

本申请涉及一种半导体器件的制备方法，涉及半导体技术领域。所述半导体器件的制备方法，包括：提供第一衬底；于第一衬底的正面键合第二衬底；于第二衬底的正面依次形成外延层、正面金属层和正面保护层；对第一衬底的背面进行减薄，直至完全去除第一衬底；于第二衬底的背面进行离子注入，形成集电区；于第二衬底的背面形成背面金属层；去除正面保护层。上述半导体器件可以有效改善碳化硅IGBT因衬底过厚导致的成本问题。