一种沟槽型功率器件及其制备方法

本申请涉及一种沟槽型功率器件及其制备方法，包括：提供半导体衬底，在其一侧形成外延层；在外延层内形成多个第一沟槽；在第一沟槽侧壁及底部的外延层形成与外延层的导电类型相反的第一屏蔽区；在第一屏蔽区底部的外延层形成与第一屏蔽区的底部相接、导电类型相同、底部与外延层底部间隔设置的第二屏蔽区；在第一沟槽内形成包括层叠设置的第一介质层及第二介质层的填充结构层，第一介质层覆盖第一沟槽内壁，第二介质层覆盖第一介质层并填充第一沟槽，第二介质层为半导体材料且其禁带宽度不小于外延层的禁带宽度；于相邻两个第一沟槽之间形成第二沟槽；于第二沟槽内形成栅极结构层。上述沟槽型功率器件及其制备方法显著提升了器件的耐压水平。