复合漏极高电子迁移率晶体管及其制备方法

本发明公开了一种复合漏极高电子迁移率晶体管及其制备方法，晶体管包括从下至上依次叠设的衬底、预铺材料层、成核材料层、组分渐变材料层、高阻材料层、二维电子气导电沟道层、势垒材料层；势垒材料层上设有源极和第一漏极；源极和第一漏极之间设有P型复合超晶格，P型复合超晶格由第一AlGaN超晶格和第二AlGaN超晶格构成；第一AlGaN超晶格和第二AlGaN超晶格设在势垒材料层上；第一AlGaN超晶格上设有栅极，第二AlGaN超晶格上设有第二漏极。本发明经过优化设计的P型AlGaN/AlGaN超晶格复合漏电极HEMT器件能够兼顾到降低工艺难度、提升材料质量、增加空穴浓度、降低动态导通电阻、抑制电流崩塌、增强器件可靠性等多重目的。