半导体器件及其制备方法

本申请涉及一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。所述半导体器件，包括：衬底、外延层、有源区结构、正面结构、终端结构、正面金属层以及背面金属层。外延层设置于衬底的正面。外延层内设置有深槽。有源区结构填充于深槽内。正面结构设置于有源区结构的正面。终端结构设置于有源区结构的两侧，且设置于外延层的正面。正面金属层设置于正面结构和部分终端结构的正面。背面金属层设置于衬底的背面。上述半导体器件可以有效改善栅氧界面可靠性差的问题，从而提高碳化硅半导体器件的可靠性。