电子器件结构及其制备方法和应用

本发明公开了一种电子器件结构及其制备方法和应用。电子器件结构的制备方法包括：提供第一导电类型的第一半导体层，在第一半导体层的选定区域形成至少一槽状结构；在槽状结构内形成电场抑制层，电场抑制层分布在槽状结构的槽底转角区域，并形成衔接侧壁与槽底的圆润过渡结构，和/或，电场抑制层连续覆盖槽状结构的侧壁、槽底和槽底转角区域，并作为外延生长第二半导体层的外延界面；在槽状结构内外延生长第二导电类型的第二半导体层。本发明通过在槽状结构内形成电场抑制层进行性能加固，缓解了电场集中，降低了峰值电场，降低了器件漏电。