半导体器件及其形成方法

本申请的实施例公开了一种半导体器件及其形成方法。半导体器件包括具有第一侧和第二侧的衬底；形成在第一侧上的第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管，第一至第四晶体管形成有p型导电性；形成在第一侧上并在第一至第四晶体管上方的第五晶体管和第六晶体管，第五至第六晶体管形成有n型导电性；第一互连结构形成在第一侧上并在第五至第六晶体管上方，每个第一互连结构至少耦接到第五和第六晶体管，并且被配置为承载电源电压；以及形成在第二侧上的第二互连结构，每个第二互连机构至少耦接到第一和第二晶体管，并且被配置为承载接地电压。