一种实现半导体薄膜低应力正置转移堆叠集成的方法

本发明公开了一种实现半导体薄膜低应力正置转移堆叠集成的方法。本发明设计的半导体外延薄膜低应力正置转移堆叠集成的方法，能够高效的实现任意层数的晶圆级半导体外延薄膜正置堆叠，同时本发明方法可解决传统有机临时键合材料转移过程中存在的一致性差、温度限制区间大、有机键合材料固化后应力大等显著问题，显著提高了半导体外延薄膜材料转移的完整性和一致性，进一步保证了半导体外延薄膜转移过程与后续工艺的兼容性、稳定性，为三维异质异构集成工艺的良率提升和成本降低提供保障。