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기록

一种晶圆键合结构及其形成方法

발명유효
8조회수
10청구항 · 2 독립항
§ Ⅰ

개요

발명자

南艳荣; 程里; 苏鹏磊

IPC 분류

H10P 72/00 (2026.01)H10P 10/00 (2026.01)

本申请提供一种晶圆键合结构及其形成方法,所述方法包括:提供第一晶圆结构,所述第一晶圆结构包括第一晶圆和第一键合层;对所述第一键合层的表面进行掺杂离子注入,使所述第一键合层表面形成第二键合层;对所述第二键合层的表面进行氢离子注入,使所述第二键合层的表面形成氢离子层;对所述氢离子层以及第二键合层进行等离子体轰击,以使所述氢离子层和所述第二键合层中形成所述掺杂离子的悬挂键;提供羟基源,使所述悬挂键表面吸附羟基;将两个第一晶圆结构中的氢离子层对准,并进行预键合;进行第二退火处理,实现两个第一晶圆结构的键合。所述键合方法提高了键合强度。