一种无结晶体管的制备方法

本申请提供一种无结晶体管的制备方法，提供衬底，衬底上形成有埋氧层和半导体层，对半导体层进行掺杂得到核层，在核层上形成半导体材料作为壳层，壳层的掺杂浓度小于核层的掺杂浓度，在壳层上形成源极、漏极和栅极，这样可以在形成壳层之前进行核层的掺杂，在核层和壳层的浓度梯度巨大的情况下实现精准掺杂，利于控制核壳结构中核层的掺杂深度和掺杂厚度，减少杂质扩散和晶格损伤等负效应，利于提高器件性能和稳定性。