一种STI填充方法

一种STI填充方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底中形成有沟槽，半导体衬底上依次形成有衬垫氧化层以及刻蚀阻挡层，沟槽表面形成有衬垫氧化层；沉积氧化硅，形成第一氧化硅层，第一氧化硅层填充沟槽并覆盖刻蚀阻挡层；对半导体衬底进行氮气退火处理；刻蚀第一氧化硅层；再次沉积氧化硅，形成第二氧化硅层，第二氧化硅层覆盖第一氧化硅层；对半导体衬底进行蒸汽退火处理。本申请提供一种STI填充方法，在第一次沉积氧化硅后先进行氮气退火处理，刻蚀后再次沉积氧化硅并进行蒸汽退火处理，能够有效减少STI过程中填充孔洞的产生，提高氧化硅膜层的致密性。