阻挡层及其形成方法、半导体器件

本发明提供了一种阻挡层及其形成方法、半导体器件，属于半导体领域。该阻挡层形成方法包括提供一半导体结构。通入前驱体，并使用惰性气体作为载气，在设定温度范围下，在所述半导体结构的表面形成阻挡层。采用设定波长的紫外线照射所述阻挡层。本发明通过设置设定波长的紫外线照射阻挡层，紫外线照射的工艺窗口大，照射深度不受限制，能够彻底去除杂质。并且采用紫外线照射阻挡层，还能够避免对阻挡层造成物理损伤，减少阻挡层内部及表面缺陷，降低电阻率。