一种金属化陶瓷基板及其制备方法

本发明公开了一种金属化陶瓷基板，包括：陶瓷基体与组装在陶瓷基体两侧的覆铜层，在陶瓷基体与覆铜层之间，设置有一个由具有择优取向的α‑Ti薄膜与Cu‑Sn焊膏反应形成的连续、均匀的金属间化合物过渡层。还公开了一种金属化陶瓷基板的制备方法。本发明解决了现有活性金属钎焊（AMB）技术中，因活性元素（如Ti）在焊膏中分布不均导致的“陶瓷‑金属反应层”厚度波动大、连续性差、界面结合强度低的问题。