半导体元件被覆用玻璃以及半导体元件被覆用烧结体

本发明提供一种环境负荷小、在熔融工序中不易失透的半导体元件被覆用玻璃。本发明的半导体元件被覆用玻璃的特征在于，作为玻璃组成，以摩尔％计含有：（SiO+ZnO） 40%~75%、BO0~20%、AlO5%~15%、（MgO+CaO） 8%~22%，并且以摩尔比计，AlO/（SiO+ZnO）为0.2以下，且实质上不含有铅成分。