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具有用于修复的磁性隧道结退化自动检测的存储器内建自测试

발명유효
2조회수
20청구항 · 3 독립항
§ Ⅰ

개요

발명자

尹钟信; M·凯姆; S·巴赫塔瓦里·马马加尼; C·蒙克; M·B·塔胡里

IPC 분류

G11C 29/50 (2006.01)G11C 29/00 (2006.01)G11C 29/02 (2006.01)G11C 29/04 (2006.01)G11C 29/12 (2006.01)G11C 29/16 (2006.01)G11C 29/24 (2006.01)G11C 29/44 (2006.01)G11C 29/34 (2006.01)G11C 29/42 (2006.01)

本申请公开了一种具有多个存储器单元的存储器设备,每个存储器单元被配置为使用不同电阻状态来存储不同值的数据。存储器内建自测试系统可以提示存储器设备对以不同电阻状态存储数据的存储器单元执行存储器读取操作,确定存储器单元的至少一子集的不同电阻状态之间的分离,以及基于存储器单元的至少一子集中的不同电阻状态之间的分离,来检测存储器单元中的一个或多个存储器单元在磁性隧道结中具有退化隧穿层。内建修复分析电路可以基于检测到在磁性隧道结中具有退化隧穿层的存储器单元,来执行对包括检测到的存储器单元中的至少一者的存储器单元组的修复。