用于增强驱动器电流和性能的基于鳍的场效应晶体管（FET）源极/漏极应变

描述了一种场效应晶体管（FET）。该FET包括基板，在基板上具有第一竖直结构，该第一竖直结构包括具有第一应力源材料的源极/漏极区，例如NMOS源极/漏极区。该FET还包括第二竖直结构，该第二竖直结构位于基板上并且包括具有与该第一应力源材料不同的第二应力源材料的漏极/源极区，例如PMOS漏极/源极区。该FET还包括金属栅极，该金属栅极位于第一竖直结构上和第二竖直结构上。