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기록

一种离子注入辅助湿法工艺选择性刻蚀铌酸锂的方法

발명유효
10청구항 · 1 독립항
§ Ⅰ

개요

발명자

吴黎超; 熊国栋; 秦骁; 张洁琼; 赵波; 柳俊

IPC 분류

C23C 14/04 (2006.01)H10P 50/64 (2026.01)C23C 14/48 (2006.01)C23C 14/35 (2006.01)C23C 14/24 (2006.01)C23C 14/18 (2006.01)C23C 16/06 (2006.01)C23C 16/455 (2006.01)

本发明提供一种离子注入辅助湿法工艺选择性刻蚀铌酸锂的方法,包括:在铌酸锂表面上制备一层金属粘附层;在金属粘附层的表面旋涂一层光刻胶层;制备图形化的金属粘附层与光刻胶层的掩膜层;制备电荷吸收层;通过多次离子注入对需刻蚀区域的铌酸锂进行改性刻蚀;离子注入的能量范围在0.5~20 MeV,注入剂量范围在1×10~1×10ions/cm;铌酸锂刻蚀的图形深度随离子注入重复次数加深,直至获得所需铌酸锂刻蚀结构;去除表面电荷吸收层并采用湿法刻蚀工艺去除注入后的损伤区域;在刻蚀后,将表面的掩膜层去除。该方法通过离子注入辅助湿法刻蚀工艺,对需刻蚀的铌酸锂进行内部改性,提升其刻蚀速率,从而实现铌酸锂优异高效的刻蚀速率与高精度刻蚀效果。