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기록
用于锗种子层的组合物及其使用方法
발명유효
1조회수
12청구항 · 2 독립항
§ Ⅰ
개요
발명자
M·R·麦克唐纳; 萧满超
IPC 분류
C23C 16/18 (2006.01)C23C 16/14 (2006.01)C23C 16/06 (2006.01)C23C 16/02 (2006.01)C23C 16/40 (2006.01)C23C 16/30 (2006.01)C23C 16/34 (2006.01)C23C 16/455 (2006.01)C23C 16/50 (2006.01)C07F 7/10 (2006.01)
本发明涉及用于(a) 形成含硅膜和(b) 将衬底表面官能化以形成适用于沉积Ge膜的锗种子层的前体和方法。在一个方面，提供了如本文所描述的式I的前体和/或式II的前体。