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一种稀土掺杂氧化镓薄膜、其制备方法及在光电集成器件中的应用

발명유효
10청구항 · 3 독립항
§ Ⅰ

개요

발명자

王磊; 张守仁; 孙俊帆; 杨保成

IPC 분류

C23C 18/12 (2006.01)H10F 77/12 (2025.01)H10F 55/00 (2025.01)H10F 71/00 (2025.01)

本发明公开一种稀土掺杂氧化镓薄膜、其制备方法及在光电集成器件中的应用,基于GaO的日盲紫外探测器在火焰和电弧检测领域具有重要应用潜力,但器件性能受高暗电流的限制。同时,集成多个光电功能有助于减小器件尺寸并提高反馈速度。稀土掺杂是一种有效优化策略,可提高光电器件性能并赋予电致发光功能。在此,开发了一种有机前驱体分解策略合成稀土掺杂GaO(GaO:RE)薄膜,并一体构建了GaO:RE/SiO/p‑Si异质结器件。在254 nm光照射下,器件响应度、探测度、响应时间分别为5.25 × 10mA W、3.67 × 10Jones、50 μs。器件在反向电压下有稀土相关的电致发光。该器件集成了光电探测和电致发光,可实现紫外信号可视化,并具有高度可设计性。