一种湿法冶金尾渣中痕量锗的定向凝固提纯及晶体生长方法

本发明涉及单晶生长技术领域，公开一种湿法冶金尾渣中痕量锗的定向凝固提纯及晶体生长方法，包括：形成悬浮的液态锗熔区；在供给尾渣粉末原料的同时，引入受控微量氧化气氛将导电杂质转化为非导电氧化物；利用感应加热的电磁力学差异分离非导电杂质与非导电氧化物；并间歇性供给熔剂粉末清除累积浮渣，最终生长晶体，本发明通过物理屏障与化学转化的协同机制，解决了悬浮区熔技术无法直饲粉末的形态不兼容难题，规避了传统铸锭的二次污染，该方法还避免了定向凝固对分凝系数大于杂质的原理性限制，实现了从尾渣到高纯晶体的生长。