一种碳化硅厚膜及其外延生长方法和应用

本发明属于半导体制造技术领域，公开了一种碳化硅厚膜及其外延生长方法和应用，碳化硅厚膜的外延生长方法包括以下步骤：以第一生长速率在衬底的第一面生长至第一厚度；进行第一原位退火；以第二生长速率继续生长至目标厚度；进行第二原位退火。本发明在目标碳化硅厚膜的外延生长中通过两次外延生长与两次原位退火的分步工艺序列与全程原位工艺设计，有效释放了碳化硅厚膜生长过程中累积的本征应力与热应力，从根本上抑制了翘曲问题，同时促进了位错等缺陷的湮灭与重组，显著提升了外延层的晶体质量。