一种原位大尺寸半导体级高纯碳化硅多晶粒的制备方法

一种原位大尺寸半导体级高纯碳化硅多晶粒的制备方法，它涉及半导体级碳化硅多晶料的制备方法。它是要解决现有方法制备的碳化硅多晶颗粒小、需要二次结晶能耗高、收率低的技术问题。本方法：一、采用无催化悬浮聚合法制备前驱体树脂，作为成核籽晶和粘合剂；二、制备硅碳预烧结体；三、在高温晶化炉中进行固化、自蔓延协同碳热还原反应以及围绕原位籽晶进行结晶生长，原位制备大尺寸高纯半导体级碳化硅多晶料。本发明制备的碳化硅晶粒多晶颗粒的粒径为0.8~20mm，纯度达到6N，收率在85%~90%，可用于碳化硅制备领域。