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기록
钐钴永磁体1:5H胞壁相厚度的测量方法
발명유효
2조회수
10청구항 · 1 독립항
§ Ⅰ
개요
발명자
赵利忠; 张涵; 黄东; 张雪峰; 樊金奎; 孙雯雯
IPC 분류
G01B 15/02 (2006.01)G01N 23/04 (2018.01)G01N 23/20 (2018.01)
本发明涉及一种钐钴永磁体1:5H胞壁相厚度的测量方法，包括以下步骤：制备钐钴永磁体的电子显微镜样品；将电子显微镜样品置于场发射透射电子显微镜，然后将电子显微镜样品的晶粒倾转至胞内主相的<11‑20>晶带轴；切换透射模式，采集处于edge‑on状态的1:5H胞壁相图像；在edge‑on状态的1:5H胞壁相图像中，沿着1:5H胞壁相的富Sm原子层，测量胞内主相和1:5H胞壁相的界面之间的距离d，计算1:5H胞壁相的厚度w，w=d·cos30°。本发明的测量方法有效消除了因1:5H胞壁相与胞内主相投影重叠所带来的界面识别干扰，实现在原子尺度对1:5H胞壁相厚度的精准测量。