一种碳化硅MOSFET的可靠性测试方法及测试系统

本发明公开了一种碳化硅MOSFET的可靠性测试方法及测试系统，该碳化硅MOSFET的可靠性测试方法包括如下步骤：准备，待测器件连接系统；初测，测量初始电气参数；循环测试，依次进行升温步骤、测试步骤和降温步骤；升温步骤为，在环境温度和待测器件自发热的共同作用下，使得待测器件结温升至目标结温并保持稳定；测试步骤为，实时监测高温电气参数；降温步骤为，测量中间电气参数；测算，测算待测器件在实际结温下的预估寿命。本发明的碳化硅MOSFET的可靠性测试方法，能够检测碳化硅MOSFET高温导通状态的可靠性。