相移掩膜版图形成方法、装置、计算机设备、存储介质

本申请涉及一种相移掩膜版图形成方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品。所述方法包括：获取初始的掩膜版图，掩膜版图包括位于透光区的主图形；基于初始的掩膜版图进行曝光模拟，获取出现旁瓣图形的旁瓣位置区；根据旁瓣位置区，在主图形中确定目标图形；在目标图形内添加遮光辅助图形，以更新掩膜版图，遮光辅助图形的尺寸小于曝光精度。采用本方法能够改善旁瓣图形现象。