一种利用光刻曝光参数补偿基于AIMS的掩膜误差的方法

本发明涉及半导体制造技术领域，具体公开了一种利用光刻曝光参数补偿基于AIMS的掩膜误差的方法，包括以下步骤：S10，获取AIMS检测阶段的误差信息，所述误差信息包括误差参数及其对应的误差量及缺陷位置；S40，根据所述误差量确定所述缺陷位置的曝光参数调整量，并得到调整后的曝光参数；S50，使用调整后的曝光参数完成光刻得到晶圆，量测缺陷位置的误差，将量测结果与所述误差量进行对比，确定补偿是否有效，如果补偿无效，则返回步骤S40，重新调整缺陷位置的曝光参数，直至补偿有效。通过本发明可以补偿AIMS阶段掩模误差导致的缺陷，继而提高产品良率。