CNIPA.AI
검색으로 돌아가기
기록

一种具有分级限域结构的Mn-EG-MoS柔性电极的制备方法

발명유효
7조회수
8청구항 · 1 독립항
§ Ⅰ

개요

발명자

刘书德; 陈洁明; 丁彬

IPC 분류

H01G 11/22 (2013.01)H01G 11/30 (2013.01)H01G 11/86 (2013.01)

本发明涉及一种具有分级限域结构的Mn‑EG‑MoS柔性电极的制备方法,主要通过锰(Mn)掺杂和乙二醇(EG)共价插层的策略制备得到具有分级限域结构的Mn‑EG‑MoS柔性电极。本发明中锰原子的引入可从原子层面限域并有效调控MoS的电子结构,促进MoS2H相到1T相的转变,增加活性位点密度并提高本征电导率。EG分子通过共价插层作用扩大MoS层间距,有效抑制纳米片的重新堆叠,增加了暴露活性位点数量,同时为离子传输提供快速通道。这种结构设计大大提高了材料的比电容和结构稳定性。将该材料用于超级电容器负极时,质量比电容提高至未改性二硫化钼的三倍以上,并表现出优异的循环稳定性。