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기록
谐振器及其制备方法、芯片封装结构及射频前端模组
발명유효
7조회수
29청구항 · 6 독립항
§ Ⅰ
개요
발명자
李来洋; 蒋欣; 曹家强; 补强; 曾雲东; 马志鹏; 王华磊; 倪建兴
IPC 분류
H03H 3/08 (2006.01)H03H 9/25 (2006.01)H03H 9/10 (2006.01)
本申请公开了一种谐振器及其制备方法、芯片封装结构及射频前端模组,涉及射频滤波技术领域。所述方法包括:在形成有叉指换能器的压电基底的表面形成具有第一镂空区域的第一掩膜层;在第一镂空区域处对压电基底进行刻蚀处理,并在第一镂空区域处形成开孔部;去除第一掩膜层,并形成具有第二镂空区域的第二掩膜层;形成包括位于开孔部的填充金属层、位于第二镂空区域的第一金属薄膜和位于第二掩膜层的第二金属薄膜,填充金属层连通汇流条和压电基底,第一金属薄膜形成焊盘,且至少部分焊盘与汇流条层叠设置;去除第二掩膜层及第二金属薄膜。本申请能够在保证谐振器的工艺精度的同时,还能够有效减少谐振器的制备工艺和制备成本。