使用多层遮罩的半导体元件的制备方法

本公开提供一种使用多层遮罩的半导体元件的制备方法。该制备方法包括形成一绝缘层在一基底上；形成一多层遮罩在该绝缘层上；使用该多层遮罩蚀刻该绝缘层；以及形成多个下电极在该绝缘层中。