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半导体器件的电阻器结构和包括电阻器结构的半导体器件

발명유효
2조회수
10청구항 · 3 독립항
§ Ⅰ

개요

발명자

李时源; 朴炳喆; 金南真

IPC 분류

H10D 1/47 (2025.01)

本公开涉及半导体器件的电阻器结构和包括电阻器结构的半导体器件。根据实施方式的半导体器件的电阻器结构可以包括:半导体基板,其包括器件半导体层和电阻器半导体层;第一器件隔离区和第二器件隔离区,其分别设置在器件半导体层和电阻器半导体层上;以及电阻器多晶硅层,其设置在其中所述第二器件隔离区的一部分被去除的第一电阻器沟槽上。